Módulo Amplificador de Potência de 50W para Contramedida de Drone – Ultra-Wideband de 100–8000MHz
Módulo jammer de sinal de drone 50W
,amplificador de potência ultra-wideband 100-8000MHz
,amplificador de contramedida de drone com garantia
Projetado com cobertura de banda ultra larga de 100-8000MHz, este módulo de amplificador de potência fornece interferência e supressão eficientes para sinais de controle e transmissão de UAV,que estabelece um sistema de defesa de cobertura total contra drones-alvoAdapta-se instantaneamente a operações de drones de frequência múltipla sem reconfiguração, conseguindo neutralização imediata da ameaça.
Em comparação com os módulos anti-drone de banda estreita convencionais, oferece um espectro operacional muito mais amplo e uma largura de banda de sinal configurável de 10-200 MHz.Aproveitamento da tecnologia de amplificação de GaN de alta eficiênciaEm cenários eletromagnéticos complexos com sinais mistos de drones, fornece contramedidas mais rápidas e eficazes.
Especificações técnicas
| Nome da marca | Tecnologia Kimghz |
|---|---|
| Número do modelo | KH-PAC50W |
| Frequência | 100 a 8000 MHz |
| Potência | 50 Watt |
| Corrente elétrica | ≤ 4,8 A |
| Fornecimento de energia | 28V |
| Interface de saída | Conector SMA |
| Interface de alimentação | Cordão de alimentação |
- Suporte de frequência: cobertura total de 100-8000 MHz para interferência completa do sinal do UAV; configurações parciais suportam personalização de largura de banda de 10-200 MHz para combinar com ambientes de contramedidas especializados.
- Arquitetura do núcleo GaN: Design de classe AB de alto desempenho GaN, otimizando a eficiência energética e a resistência ao bloqueio; suportado por tecnologia de resfriamento patenteada para operação de alta potência sustentada.
- Impedância padrão: Impedância de entrada/saída de 50Ω universalmente combinada com equipamentos de contramedida eletrônica convencionais, evitando a perda de sinal e falhas de componentes.
- Alta fiabilidade operacional: Fator de forma compacto com substrato de GaN em cobre e melhoria térmica avançada, garantindo um desempenho estável durante a utilização contínua com alta carga.
- Integração de engenharia:O design robusto da carcaça oferece durabilidade e portabilidade; circuitos internos otimizados reduzem as dimensões e o peso gerais para uma implantação flexível.
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